ОСНОВАНИЯ ДЛЯ КОРПУСОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Толстопленочная технология позволяет изготавливать основания для корпусов интегральных микросхем, в том числе взамен металлостеклянных. Применение керамики с различными теплопроводящими свойствами дает возможность повышения мощностных характеристик приборов. Металлизированные отверстия обеспечивают хорошую электропроводность и теплоотвод.

Параметр	Значение
Область применения	Микроэлектроника
Материал подложки	Al2O3 или AlN керамика
Толщина керамической подложки, мм	0,15…2,0
Размер подложки, мм	От 1.3х1.3 до 100х100
Вид металлизации	Односторонняя, двухсторонняя и металлизированные отверстия
Стандартные проводники	Ag, AgPd, AgPt, Au
Толщина проводника после вжигания, мкм	10…200
Удельное поверхностное сопротивление проводника, Ом/кв	0,005….0,050
Стандартные резисторы	RuO2
Удельное поверхностное сопротивление резистора, Ом/кв	1….106
Точность резистора после вжигания, %	+-5
ТКС, ppm/K	+-50…+-300 (+-25 по запросу)
Контактирование	Прижимные контакты, пайка, сварка