Керамические подложки, изготовленные из оксида алюминия Al2O3, являются основой для создания гибридных интегральных схем (ГИС), керамических конденсаторов, резисторов и других полупроводниковых элементов и электротехнических изделий.
Главное достоинство подложек, изготовленных на основе AlN, – это высокая теплопроводность - от 170 Вт/моК. Именно поэтому керамика на основе AlN используется в случаях, когда необходим отвод значительных объемов выделяемого тепла. Также, AlN обладает высокой чистотой структуры и химической однородностью.
