Статьи

1. Oksana Yu. Egorova ,*, Victor G. Kosushkin 1,* and Leo V. Kozhitov 2,*Model of Nano-Metal Electroplating Process in Trapezoid Proﬁle 1 LLC "Fokon", 248037, Grabtsevskoe shosse, 73, Kaluga, Russia2 Moscow Institute of Steel and Alloys, Leninsky Prospect 2, 196036, RussiaCondens. Matter 2019, 4, 26

2. Oksana Yu. Egorova, Victor G. Kosushkin and Leo V. Kozhitov Model of Nano-Metal Electroplating Process in Trapezoid Proﬁle Groove Reprinted from: Condens. Matter 2019, 4, 26, doi:10.3390/condmat4010026 Nanoscience and Nanotechnology, Proceedings of the INFN-LNF 2019 Conference

3. Физические методы синтеза металлических наночастиц сплавов и композиционных материалов на основе переходных металлов [Текст] : учеб. пособие / Л. В. Кожитов, И. В. Запороцкова, Д. Г. Муратов, , В. Г. Косушкин, Н. П. Борознина ; ; Федер. гос. авт. образоват. учреждение высш. образования «Волгогр. гос. ун-т» ; Нац. исслед. технол. ун-т «МИСиС», ООО «Фокон» Калуга. – Волгоград : Изд-во ВолГУ, 2019. – 337 с.

4. Spectral Photoresponse of Biological Systems S. I. Supelnyak and V. G. Kosushkin ISSN 1027-4510, Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2019, Vol. 13, No. 3, pp. 525–532. © Pleiades Publishing, Ltd., 2019. Russian Text © The Author(s), 2019, published in Poverkhnost’, 2019, No. 6, pp. 68–75.

5. Влияние травления теллурида кадмия на качество поверхности эпитаксиальных структур © 2019 г. В. В. Парамонов 1, О. В. Новикова2, В. Г. Косушкин Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2019. Т. 21, № 1. C. 43—47. DOI: 10.17073/1609-3577-2018-1-43-47

6. Evaluation of Intellectual Property Objects in the Nanoindustry Field L. V. Kozhitov B. G. Kiseleva, D. G. Muratov , V. G. Kosushkin, and V. G. Bebenind . -The National University of Science and Technology MISiS, Moscow, 119049 Russia bTver State University, Tver, 170100 Russia cKaluga Branch, Bauman Moscow State Technical University, Kaluga, LLC "Fokon" SSN 1063-7397, Russian Microelectronics, 2019, Vol. 48, No. 8, pp. 1–14. © Pleiades Publishing, Ltd., 2019. Russian Text © The Author(s), 2017, published in Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii, Elektronika, 2017, Vol. 20, No. 4, pp. 266–281

7. Адарчин С.А., Косушкин В.Г., Гурин В.М., Кожитов Л.В., Васютин М.С., Бебенин В.Г. Моделирование напряжений в многослойных полупроводниковых структурах автомобильных регуляторов и прогнозирование надёжности их работы. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2020;23(2):134-141. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2020-2-134-141

8. Application of double crystal [-ray diffractometry methods and topography for characterization of isotrophycalle mjdified CVD diamond films Romanov D.A 1,2, Kosushkin V.G.1, Strelov V.I1 Russia, Kaluga, LLC "Fokon"2 Shubnikov Institute of Crystallography, Federal Scientific Research Centre ,Moscow, 119333 Russia.- American Scientific Journal № (43) / 2020

9. Кожитов Л.В., Косушкин В.Г. Особенности деятельности инжинирингового центра (малого инновационного предприятия) Тверского государственного университета. Инновации, №9, 2020. С. 4-26

10. Double-Crystal X-Ray Diffractometry and Topography Methods in the Analysis of the Real Structure of Crystals D. A. Romanov I. A. Prokhorova, †, A. E. Voloshin, V. G. Kosushkin A. P. Bolshakov c, and V. G. Ralchenko aShubnikov Institute of Crystallography, Сrystallography and Photonics Federal Scientific Research Center, Russian Academy of Sciences, Moscow, 119333 Russia, LLC "Fokon, Kaluga, 248037 Russia. - ISSN 1027-4510, Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2020, Vol. 14, No. 6, pp. 1113–1120. © Pleiades Publishing, Ltd., 2020. Russian Text © The Author(s), 2020, published in Poverkhnost’, 2020, No. 11, pp. 3–11.

11. Кожитов Л.В., Киселев Б.Г., Райкова Т.Б. Косушкин В.Г. Оценка объектов интеллектуальной собственности в сфере наноиндустрии. Рос. микроэлектроника 48, 599–612 (2019). https://doi.org/10.1134/S1063739719080080

12. Гурин В.А. Технологический потенциал толстопленочной технологии Молодежная конференция «Инностарт 2020», 25-26 ноября 2020г.

13. S.A. Belyakov, R.J. Coyle., C.M. Gourlay. Microstructure and Damage Evolution During Thermal Cycling of Sn-Ag-Cu Solders Containing Antimony Journal of ELECTRONIC MATERIALS, Vol. 50, No. 3, 2021 https://doi.org/10.1007/s11664-020-08507

14. W. Xian , S.A. Belyakov and C.M. Gourlay. - Time-Lapse Imaging of Ag3Sn Thermal Coarsening in Sn-3Ag-0.5Cu Solder Joints Journal of Electronic , Vol. 50, No. 3, 2021 https://doi.org/10.1007/s11664-020-08498-9

15. Кожитов Л.В., Попкова А.В., Косушкин В.Г., Киселёв Б.Г., Верхович В.С. Продвижение малых и средних высокотехнологичных инновационных предприятий Росии на глобальный технологический рынок. - Инновации. 2021. № 1 (267). С. 12-19.

16. Кожитов Л.В., Киселев Б.Г., Якушко Е.В., Косушкин В.Г. Технико – экономическое обоснование и расчёт рыночной стоимости технологии производства металлоуглеродных нанокомпозитов. - Инновации. 2021. № 3 (269). С. 30-39.

17. Васютин М.С., Косушкин В.Г., Адарчин С.А., Островский Д.П., Бендрышев Ю.Н . Способ получения толстоплёночных структур для теплоэлектрических генераторов. Патент на изобретение 2755344 C1, 15.09.2021. Заявка № 2020133678 от 13.10.2020

18. Васютин М.С., Косушкин В.Г., Адарчин С.А., Поздняков В.С., Островский Д.П. Способ получения толстоплёночных резисторов Патент на изобретение 2755943 C1, 23.09.2021. Заявка № 2020129739 от 08.09.2020.

19. Мишенёв Р.А., Адарчин С.А., Бочарова М.В. Гибридный полупроводниковый газочувствительный сенсор. - Научный журнал «Инновации. Наука. Образование» с.597-603

20. Almaev A.V., Yakovlev N.N., Kushnarev B.O., Kopyev V.V., Novikov V.A., Zinoviev M.M., Yudin N.N., Podzivalov S.N., Erzakova N.N., Chikiryaka A.V., Shcheglov M.P., Baalbaki H., Olshukov A.S. Gas Sensitivity of IBSD Deposited TiO2 Thin Films // Coatings. – 2022. – vol. 12. – 1565, 17 p. https://doi.org/10.3390/coatings12101565

21. Алмаев Д.А., Алмаев А.В., Копьев В.В., Николаев В.И., Печников А.И., Степанов С.И., Бойко М.Е., Бутенко П.Н., Щеглов М.П. Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда // Письма в ЖТФ. – 2022. том 48, вып. 22. – C. 24-27. https://doi.org/10.21883/PJTF.2022.22.53802.19322

22. Yakovlev N.N., Almaev A.V., Butenko P.N., Mikhaylov A.N., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Timashov R.B., Chikiryaka A.V., Nikolaev V.I. Effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 epitaxial layers on their hydrogen sensitivity // Materials Physics and Mechanics. – 2022. – vol. 48, # 3. – P. 301-307. http://dx.doi.org/10.18149/MPM.4832022_1

23. Almaev A.V., Nikolaev V.I., Yakovlev N.N., Butenko P.N., Stepanov S.I., Pechnikov A.I., Scheglov M.P., Chernikov E.V., Hydrogen sensors based on Pt/α-Ga2O3:Sn/Pt structures, Sensors and Actuators B: Chemical. – 2022. – vol. 364. – 131904, 9 p. https://doi.org/10.1016/j.snb.2022.131904

24. Николаев В.И., Алмаев А.В., Кушнарев Б.О., Печников А.И., Степанов С.И., Чикиряка Е.В., Тимашов Р.Б., Щеглов М.П., Бутенко П.Н., Черников Е.В. Газочувствительные свойства пленок твердого раствора In2O3−Ga2O3 // Письма в ЖТФ. – 2022. том 48, вып. 14. – C. 37-41. https://doi.org/10.21883/PJTF.2022.14.52869.19211

25. Yakovlev N., Almaev A., Butenko P., Tetelbaum D., Mikhaylov A., Nikolskaya A., Pechnikov A., Stepanov S., Boiko M., Chikiryaka A., Nikolaev V. Effect of Si+ ion implantation in α-Ga2O3 films on their gas sensitivity // IEEE Sensors Journal. – 2022.

26. Способ получения толстоплёночных резисторов. Васютин М.С., Косушкин В.Г.,Адарчин С.А Патент на изобретение 2770906 C1, 25.04.2022.Заявка № 2021137750 от 17.12.2021.

27. Способ получения толстоплёночных резисторов. Васютин М.С., Косушкин В.Г. Адарчин С.А. Патент на изобретение 2770908 C1, 25.04.2022. Заявка № 2021138759 от 23.12.2021.

28. Способ получения толстоплёночных резисторов. Васютин Максим Сергеевич, Косушкин Виктор Григорьевич, Адарчин Сергей Александрович
Патент на изобретение 2776657 C1, 22.07.2022. Заявка № 2021134103 от 22.11.2021.

29. Ловецкий Г.И., Самылов П.В., Косушкин В.Г. Университет в условиях неопределённости и сложности будущего. Высшее образование в России. 2022. Т.31, №5. С. 102-117

30. Кожитов Л.В., Попкова А.В., Косушкин В.Г., Киселёв Б.Г., Верхович В.С. Коммерциализация объектов интеллектуальной собственности в наноиндустрии. Инновации. 2021. №7 (273). С.60-72

31. Романов Д.А. Особенности формирования реальной структуры эпитаксиальных CVD – плёнок алмаза с природным и модифицированным изотопным составом. Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физ – мат. наук. М., 2022, 19С.

32. Супельняк С.И., Косушкин В.Г. Возможность использования модели транзистора для анализа и оптимизации процессов поглощения света «мягким» конденсированным веществом. Нанотехнологии: разработка, применение – XXI век. 2022, т.14, №2, с. 34-40.

33. Мишенёв Р.А., Адарчин С.А., Косушкин В.Г. Гибридные толстоплёночные полупроводниковые сенсоры газоанализаторов. Российский форум «Микроэлектроника 2022. Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисов. Роза Хутор. 2-8 октября 2022г. М.: Техносфера 2022. – 855с.

34. Gas Sensitivity of IBSD Deposited TiO2 Thin Films

35. Aleksei V. Almaev 1,2,* , Nikita N. Yakovlev 1 , Bogdan O. Kushnarev 1, Viktor V. Kopyev 1, Vadim A. Novikov 1 Mikhail M. Zinoviev1,3,4 , Nikolay N. Yudin 1,3,4, Sergey N. Podzivalov 1,3 , Nadezhda N. Erzakova 1,Andrei V. Chikiryaka 5, Mikhail P. Shcheglov 5, Houssain Baalbaki 1 and Alexey S. Olshukov 11 Research and Development Center for Advanced Technologies in Microelectronics, National Research Tomsk State University, 634050 Tomsk, Russia 2 Fokon LLC, 248035 Kaluga, Russia 3 Laboratory of Optical Crystals LLC, 634040 Tomsk, Russia 4 Vladimir Zuev Institute of Atmospheric Optics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, 634055 Tomsk, Russia 5 Ioffe Institute of the Russian Academy of Sciences, 194021 Saint Petersburg, Russia * Correspondence: almaev_alex@mail.ru Coatings 2022, 12, 1565. https://doi.org/10.3390/coatings12101565 https://www.mdpi.com/journal/coatings

36. Д.А. Алмаев 1, А.В. Алмаев 1,2, В.В. Копьев 1, В.И. Николаев 3,4, А.И. Печников 3, С.И. Степанов 3, М.Е. Бойко 3, П.Н. Бутенко 1,3, М.П. Щеглов 3 Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда 1 Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия 2 ООО Фокон“, Калуга, Россия 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 4 «ООО Совершенные кристаллы“, Санкт-Петербург, Россия

37. N.N. Yakovlev 1, A.V. Almaev1,2, P.N. Butenko1,3, A.N. Mikhaylov4, A.I. Pechnikov3,S.I. Stepanov3, R.B. Timashov3, A.V. Chikiryaka3, V.I. Nikolaev3,5 Effect of Si + ion irradiation of α-Ga 2O3 epitaxial layers on their hydrogen sensitivity. - 1Tomsk State University, Tomsk, Russia 2Fokon LLC, Kaluga, Russia 3Ioffe Institute, Saint Petersburg, Russia 4Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia 5Perfect Crystals LLC, Saint Petersburg, Russia Materials Physics and Mechanics. 2022;48(3): 301-307 Research article http://dx.doi.org/10.18149/MPM.4832022_1

38. A.V. Almaev a,b, V.I. Nikolaev c,d, N.N. Yakovlev a,*, P.N. Butenko a,d, S.I. Stepanov A.I. Pechnikov c,d, M.P. Scheglov d, E.V. Chernikov a,b Hydrogen sensors based on Pt/α-Ga2O3:Sn/Pt structures a Research and Development Centre for Advanced Technologies in Microelectronics, National Research Tomsk State University, 634050 Tomsk, Russia Fokon LLC, 248035 Kaluga, Russia c Perfect Crystals LLC, 194064 Saint Petersburg, Russia d Ioffe Institute of the Russian Academy of Sciences, 194021 Saint Petersburg, Russia. - Sensors & Actuators: B. Chemical 364 (2022) 131904

39. В.И. Николаев 1,2, А.В. Алмаев 3,4, Б.О. Кушнарев 3, А.И. Печников 1,2, С.И. Степанов 1,2,А.В. Чикиряка1, Р.Б. Тимашов 1, М.П. Щеглов 1, П.Н. Бутенко 1,3, Е.В. Черников 3,4. Газочувствительные свойства пленок твердого раствора In2O3−Ga2O3 1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия2 ООО ”Совершенные кристаллы“, Санкт-Петербург, Россия 3 Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия 4 ООО Фокон“, Калуга, Россия.- Письма в ЖТФ, 2022, том 48, вып. 14

40. Ловецкий Геннадий Иванович – д-р филос. наук, проф., gennadiy_lovetskiy@mail.ru, Самылов Павел Васильевич – канд. истор. наук, доцент, mail@klg.ranepa.ru Калужский филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при Президенте Российской Федерации, Калуга, Россия Адрес: 248021, г. Калуга, ул. Окружная, 4, корп. 3 ,Косушкин Виктор Григорьевич – д-р техн. наук, проф., директор по развитию и инновациям, vic_kos@mail.ru, ООО «Фокон», Москва, Россия Адрес: 121205, г. Москва, Большой бульвар, 42, стр. 1. Университет в условиях неопределённости и сложности будущего. Высшее образование в России. С.102 -115 DOI: 10.31992/0869-3617-2022-31-5-102-117

41. В.М. Гурин, В.Г. Косушкин, С.А. Адарчин, М.С. Васютин. Получение гибридных интегральных схем на поверхности керамики и алмаза методами тонкоплёночной технологии и вакуумного напыления. Вакуумная техника и технологии – 2024. Труды 31-й Всероссийской научно – технической конференции с международным участием 25 -27 июня 2024г/ под ред Д.К. Кострина, С.А. Марцынюкова и В.А. Симона. – СПб.: Из-во СПб ГЭТУ «ЛЭТИ», 2024. – 417с.

42. Васютин М.С., Косушкин В.Г., Адарчин С.А., Гурин В.М. Патент на изобретение №2828479 «Способ получения микрополосковых полосно – пропускающих СВЧ – фильтров. Приоритет 25 декабря 2023г.